STD65N55F3
Производитель: STMicroelectronics
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Тип корпуса от поставщика
DPAK
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
110W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
80A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
2200 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
45 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
8.5mOhm @ 32A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK
22,450 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 24.60 HKD |
| от 625 шт. | 23.98 HKD |
| от 1250 шт. | 23.66 HKD |
RS HK
20,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 17.495 HKD |
| от 12500 шт. | 17.145 HKD |
Farnell
2,622 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.210 EUR |
| от 10 шт. | 2.200 EUR |
| от 100 шт. | 1.680 EUR |
| от 500 шт. | 1.390 EUR |
| от 1000 шт. | 1.280 EUR |
Похожие компоненты в этой категории