Запрос
Вернуться в каталог и поиск

STD1NK80ZT4

Производитель: STMicroelectronics

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 800 V
Тип корпуса от поставщика DPAK
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 45W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 1A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 160 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±30V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 7.7 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4.5V @ 50µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 16Ohm @ 500mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 882,500 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 2500 шт. 0.19714 USD
от 5000 шт. 0.19462 USD
от 10000 шт. 0.19125 USD
от 20000 шт. 0.18788 USD
от 40000 шт. 0.18451 USD
Farnell 2,709 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.650 EUR
от 50 шт. 0.928 EUR
от 100 шт. 0.654 EUR
от 500 шт. 0.527 EUR
от 1000 шт. 0.465 EUR
от 2500 шт. 0.310 EUR
от 7500 шт. 0.286 EUR
RS HK 2,360 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 200 шт. 8.32 HKD
от 500 шт. 8.10 HKD
от 1000 шт. 7.865 HKD