STD1NK60T4
Производитель: STMicroelectronics
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Тип корпуса от поставщика
DPAK
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
30W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
156 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±30V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
10 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3.7V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Складские остатки и цены
Farnell
33,852 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 1.520 EUR |
| от 50 шт. | 0.972 EUR |
| от 100 шт. | 0.647 EUR |
| от 500 шт. | 0.468 EUR |
| от 1000 шт. | 0.428 EUR |
| от 2500 шт. | 0.409 EUR |
| от 7500 шт. | 0.326 EUR |
TME
1,695 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.691 EUR |
| от 5 шт. | 1.158 EUR |
| от 10 шт. | 0.924 EUR |
| от 50 шт. | 0.576 EUR |
| от 100 шт. | 0.507 EUR |
| от 500 шт. | 0.414 EUR |
| от 2500 шт. | 0.365 EUR |
Похожие компоненты в этой категории