Запрос
Вернуться в каталог и поиск

STD10P6F6

Производитель: STMicroelectronics

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P CH 60V 10A DPAK

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика DPAK
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 35W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 10A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 340 pF @ 48 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 6.4 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell 36,350 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.310 EUR
от 50 шт. 0.824 EUR
от 100 шт. 0.589 EUR
от 500 шт. 0.471 EUR
от 1000 шт. 0.432 EUR
от 2500 шт. 0.366 EUR
от 7500 шт. 0.324 EUR
Avnet 2,500 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 2500 шт. 0.33496 USD
от 5000 шт. 0.33326 USD
от 10000 шт. 0.33155 USD
от 20000 шт. 0.32984 USD
от 40000 шт. 0.32813 USD
RS HK 580 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 20 шт. 7.19 HKD