Запрос
Вернуться в каталог и поиск

STD10NF10T4

Производитель: STMicroelectronics

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Тип корпуса от поставщика DPAK
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 50W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 13A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 460 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 21 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 130mOhm @ 5A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 42,500 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 2500 шт. 0.295 USD
от 5000 шт. 0.29 USD
от 12500 шт. 0.285 USD
от 25000 шт. 0.28 USD
RS HK 3,935 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 15.54 HKD
от 625 шт. 15.18 HKD
от 1250 шт. 14.90 HKD
RS HK 2,500 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 2500 шт. 4.266 HKD
от 12500 шт. 3.839 HKD
Farnell 1,850 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.730 EUR
от 50 шт. 1.100 EUR
от 100 шт. 0.740 EUR
от 500 шт. 0.586 EUR
от 1000 шт. 0.536 EUR
от 2500 шт. 0.470 EUR
от 7500 шт. 0.388 EUR