STD100N10F7
Производитель: STMicroelectronics
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Тип корпуса от поставщика
DPAK
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
120W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
80A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
4369 pF @ 50 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
61 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics
32,500 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 1.58 USD |
Farnell
2,851 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.420 EUR |
| от 10 шт. | 2.340 EUR |
| от 100 шт. | 1.620 EUR |
| от 500 шт. | 1.480 EUR |
| от 1000 шт. | 1.270 EUR |
Avnet
2,500 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 0.89873 USD |
| от 5000 шт. | 0.89308 USD |
| от 10000 шт. | 0.87654 USD |
| от 20000 шт. | 0.86061 USD |
| от 40000 шт. | 0.84524 USD |
RS HK
2,185 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 24.36 HKD |
Похожие компоненты в этой категории