RQ3E100BNTB
Производитель: Rohm Semiconductor
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerVDFN
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
8-HSMT (3.2x3)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
10A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1100 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
22 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.5V @ 1mA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
10.4mOhm @ 10A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
72,586 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.619 EUR |
| от 10 шт. | 0.28 EUR |
| от 100 шт. | 0.246 EUR |
| от 500 шт. | 0.187 EUR |
| от 3000 шт. | 0.142 EUR |
| от 9000 шт. | 0.125 EUR |
| от 24000 шт. | 0.124 EUR |
TME
4 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.684 EUR |
| от 10 шт. | 0.313 EUR |
| от 100 шт. | 0.257 EUR |
| от 500 шт. | 0.22 EUR |
| от 1000 шт. | 0.205 EUR |
| от 3000 шт. | 0.185 EUR |
| от 6000 шт. | 0.179 EUR |
Похожие компоненты в этой категории