Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SMMUN2214LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 10 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Максимальная мощность 246 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 47 kOhms
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 214,634 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.155 EUR
от 10 шт. 0.094 EUR
от 100 шт. 0.058 EUR
от 500 шт. 0.042 EUR
от 1000 шт. 0.037 EUR
от 3000 шт. 0.028 EUR
TME 2,890 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.0984 EUR
от 10 шт. 0.0597 EUR
от 100 шт. 0.0369 EUR
от 500 шт. 0.0302 EUR
от 1000 шт. 0.0272 EUR
от 3000 шт. 0.0254 EUR
от 12000 шт. 0.0245 EUR