Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SMMBT5551LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность 225 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 600 mA
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 160 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Складские остатки и цены
Mouser 42,534 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.232 EUR
от 10 шт. 0.139 EUR
от 100 шт. 0.087 EUR
от 500 шт. 0.064 EUR
от 1000 шт. 0.056 EUR
от 3000 шт. 0.041 EUR
Future Electronics 1,500 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.235 USD
от 15 шт. 0.176 USD
от 75 шт. 0.142 USD
от 300 шт. 0.112 USD
от 1500 шт. 0.0778 USD
Farnell 815 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.193 EUR
от 50 шт. 0.0926 EUR
от 100 шт. 0.0716 EUR
от 500 шт. 0.0544 EUR
от 1500 шт. 0.0473 EUR
от 3000 шт. 0.0378 EUR
от 9000 шт. 0.037 EUR