NVGS5120PT1G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
6-TSOP
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
600mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1.8A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
942 pF @ 30 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
18.1 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
111mOhm @ 2.9A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
54,793 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.27 EUR |
| от 10 шт. | 0.599 EUR |
| от 100 шт. | 0.533 EUR |
| от 500 шт. | 0.417 EUR |
| от 1000 шт. | 0.414 EUR |
| от 3000 шт. | 0.331 EUR |
| от 6000 шт. | 0.315 EUR |
Похожие компоненты в этой категории