NTR5198NLT1G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
900mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1.7A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
182 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
155mOhm @ 1A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics
96,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.138 USD |
| от 9000 шт. | 0.136 USD |
| от 12000 шт. | 0.135 USD |
| от 30000 шт. | 0.133 USD |
| от 45000 шт. | 0.131 USD |
RS HK
2,750 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 25 шт. | 2.156 HKD |
| от 750 шт. | 2.10 HKD |
| от 1500 шт. | 2.076 HKD |
Похожие компоненты в этой категории