Запрос
← Вернуться в каталог и поиск

NTR2101PT1G

Производитель: onsemi

MOSFET P-CH 8V SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 8 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 960mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 3.7A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 1173 pF @ 4 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 15 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 1.8V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Складские остатки и цены
Farnell 24,272 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.492 EUR
от 50 шт. 0.220 EUR
от 100 шт. 0.193 EUR
от 500 шт. 0.154 EUR
от 1500 шт. 0.129 EUR
от 3000 шт. 0.0998 EUR
от 9000 шт. 0.0978 EUR
Newark 19,686 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.594 USD
от 50 шт. 0.285 USD
от 100 шт. 0.254 USD
от 250 шт. 0.236 USD
от 500 шт. 0.186 USD
от 1000 шт. 0.182 USD
от 2500 шт. 0.179 USD
от 5000 шт. 0.175 USD
RS HK 2,600 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 2.50 HKD
от 1500 шт. 2.462 HKD