Запрос
Вернуться в каталог и поиск

NTJS4151PT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 3.3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 850 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±12V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 10 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 1.8V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Складские остатки и цены
Future Electronics 60,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.157 USD
от 9000 шт. 0.154 USD
от 30000 шт. 0.151 USD
от 45000 шт. 0.149 USD
TME 140 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.539 EUR
от 10 шт. 0.363 EUR
от 50 шт. 0.25 EUR
от 100 шт. 0.214 EUR
от 500 шт. 0.15 EUR
от 1000 шт. 0.132 EUR
от 1500 шт. 0.122 EUR
от 3000 шт. 0.108 EUR
от 6000 шт. 0.104 EUR