NTJD4152PT1G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
272mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Тип корпуса от поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
880mA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
155pF @ 20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
2.2nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
Складские остатки и цены
RS HK
23,150 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 25 шт. | 2.092 HKD |
| от 750 шт. | 2.036 HKD |
| от 1500 шт. | 2.008 HKD |
RS HK
21,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.679 HKD |
| от 6000 шт. | 0.666 HKD |
| от 12000 шт. | 0.652 HKD |
Avnet
12,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.05615 USD |
| от 6000 шт. | 0.05587 USD |
| от 12000 шт. | 0.05558 USD |
| от 24000 шт. | 0.0553 USD |
| от 48000 шт. | 0.05501 USD |
Похожие компоненты в этой категории