NTJD1155LT1G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
400mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
8V
Тип корпуса от поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1.3A
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet
63,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.05713 USD |
| от 6000 шт. | 0.05684 USD |
| от 12000 шт. | 0.05655 USD |
| от 24000 шт. | 0.05626 USD |
| от 48000 шт. | 0.05597 USD |
Future Electronics
57,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.164 USD |
| от 6000 шт. | 0.162 USD |
| от 12000 шт. | 0.16 USD |
| от 45000 шт. | 0.156 USD |
RS HK
1,160 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 20 шт. | 2.13 HKD |
| от 760 шт. | 2.075 HKD |
| от 1500 шт. | 2.045 HKD |
Похожие компоненты в этой категории