Запрос
Вернуться в каталог и поиск

NTD360N65S3H

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Тип корпуса от поставщика D-PAK (TO-252)
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 83W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 10A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 916 pF @ 400 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±30V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 17.5 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 700µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK 14,855 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 25.54 HKD
от 10 шт. 24.76 HKD
от 100 шт. 23.98 HKD
от 250 шт. 23.52 HKD
от 500 шт. 22.98 HKD
RS HK 12,500 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 2500 шт. 10.762 HKD
от 7500 шт. 10.547 HKD
от 12500 шт. 10.336 HKD
Mouser 5,467 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 2.96 EUR
от 10 шт. 1.53 EUR
от 100 шт. 1.31 EUR
от 500 шт. 1.08 EUR
от 1000 шт. 1.02 EUR
от 2500 шт. 1.02 EUR