Запрос
Вернуться в каталог и поиск

NDT2955

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SOT-223-4
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 3W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2.5A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 601 pF @ 30 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 15 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 300mOhm @ 2.5A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK 78,845 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1000 шт. 8.42 HKD
от 2000 шт. 8.34 HKD
RS HK 76,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 4000 шт. 2.477 HKD
от 8000 шт. 2.427 HKD
Farnell 12,843 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.020 EUR
от 50 шт. 0.515 EUR
от 250 шт. 0.457 EUR
от 1000 шт. 0.354 EUR
от 2000 шт. 0.347 EUR
от 4000 шт. 0.259 EUR
от 12000 шт. 0.240 EUR
RS HK 85 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 8.68 HKD
от 1000 шт. 8.42 HKD
от 2000 шт. 8.34 HKD
Newark 74 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.200 USD
от 50 шт. 0.750 USD
от 100 шт. 0.492 USD
от 250 шт. 0.437 USD
от 500 шт. 0.381 USD
от 1000 шт. 0.345 USD
от 2500 шт. 0.315 USD
от 5000 шт. 0.309 USD