Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MUN5235T1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 2.2 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) SC-70, SOT-323
Максимальная мощность 202 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 47 kOhms
Тип корпуса от поставщика SC-70-3 (SOT323)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 43,122 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.155 EUR
от 10 шт. 0.092 EUR
от 100 шт. 0.058 EUR
от 500 шт. 0.041 EUR
от 1000 шт. 0.037 EUR
от 3000 шт. 0.029 EUR
RS HK 3,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 100 шт. 0.488 HKD
от 800 шт. 0.475 HKD
от 1500 шт. 0.468 HKD
от 3000 шт. 0.24 HKD
от 6000 шт. 0.233 HKD
от 12000 шт. 0.226 HKD