Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MMUN2233LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 4.7 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Максимальная мощность 246 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 47 kOhms
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Farnell 71,494 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.125 EUR
от 50 шт. 0.0658 EUR
от 100 шт. 0.0483 EUR
от 500 шт. 0.0348 EUR
от 1500 шт. 0.0288 EUR
от 3000 шт. 0.0217 EUR
от 9000 шт. 0.0213 EUR
Mouser 56,422 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.12 EUR
от 10 шт. 0.074 EUR
от 100 шт. 0.046 EUR
от 500 шт. 0.034 EUR
от 1000 шт. 0.029 EUR
от 3000 шт. 0.022 EUR
RS HK 200 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 200 шт. 0.394 HKD
от 800 шт. 0.385 HKD
от 1600 шт. 0.378 HKD
Newark 37 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.145 USD
от 50 шт. 0.091 USD
от 100 шт. 0.058 USD
от 250 шт. 0.051 USD
от 500 шт. 0.043 USD
от 1000 шт. 0.039 USD
от 2500 шт. 0.038 USD
от 5000 шт. 0.037 USD