Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MMUN2211LT3G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 10 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Максимальная мощность 246 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 10 kOhms
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 39,113 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.12 EUR
от 10 шт. 0.074 EUR
от 100 шт. 0.046 EUR
от 500 шт. 0.034 EUR
от 1000 шт. 0.026 EUR
от 5000 шт. 0.023 EUR
от 10000 шт. 0.02 EUR
Farnell 9,458 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.140 EUR
от 50 шт. 0.0702 EUR
от 250 шт. 0.0415 EUR
от 1000 шт. 0.034 EUR
от 5000 шт. 0.0241 EUR
от 10000 шт. 0.0163 EUR
от 30000 шт. 0.016 EUR
RS HK 1,225 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 25 шт. 0.64 HKD
от 2500 шт. 0.624 HKD
от 5000 шт. 0.612 HKD