Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MMUN2111LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 10 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Максимальная мощность 246 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 10 kOhms
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 107,204 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.12 EUR
от 10 шт. 0.074 EUR
от 100 шт. 0.046 EUR
от 500 шт. 0.034 EUR
от 1000 шт. 0.029 EUR
от 3000 шт. 0.022 EUR
Future Electronics 60,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0136 USD
от 9000 шт. 0.0133 USD
от 30000 шт. 0.0129 USD
от 60000 шт. 0.0127 USD
от 120000 шт. 0.0124 USD
RS HK 3,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 250 шт. 0.415 HKD
от 750 шт. 0.405 HKD
от 1500 шт. 0.398 HKD