Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MMBT6520LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft) 200MHz
Максимальная мощность 225 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 500 mA
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 50nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 350 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 54,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0484 USD
от 6000 шт. 0.0476 USD
от 12000 шт. 0.0468 USD
от 15000 шт. 0.0466 USD
от 45000 шт. 0.045 USD
Mouser 3,290 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.327 EUR
от 10 шт. 0.205 EUR
от 100 шт. 0.128 EUR
от 500 шт. 0.09 EUR
от 1000 шт. 0.083 EUR
от 3000 шт. 0.058 EUR
Farnell 225 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.283 EUR
от 50 шт. 0.123 EUR
от 100 шт. 0.109 EUR
от 500 шт. 0.0808 EUR
от 1500 шт. 0.0715 EUR
от 3000 шт. 0.0557 EUR
от 9000 шт. 0.0502 EUR