FQD13N10LTM
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Тип корпуса от поставщика
TO-252AA
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
10A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
520 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
12 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
65,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 0.25274 USD |
| от 5000 шт. | 0.25145 USD |
| от 10000 шт. | 0.25016 USD |
| от 20000 шт. | 0.24887 USD |
| от 40000 шт. | 0.24758 USD |
Farnell
2,509 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 1.080 EUR |
| от 50 шт. | 0.677 EUR |
| от 100 шт. | 0.446 EUR |
| от 500 шт. | 0.436 EUR |
| от 1000 шт. | 0.426 EUR |
| от 2500 шт. | 0.396 EUR |
| от 7500 шт. | 0.325 EUR |
TME
798 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.218 EUR |
| от 5 шт. | 0.92 EUR |
| от 10 шт. | 0.793 EUR |
| от 50 шт. | 0.561 EUR |
| от 100 шт. | 0.489 EUR |
| от 500 шт. | 0.37 EUR |
| от 1000 шт. | 0.336 EUR |
| от 2500 шт. | 0.31 EUR |
| от 5000 шт. | 0.303 EUR |
Похожие компоненты в этой категории