Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDS6375

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика 8-SOIC
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 2.5W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 8A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 2694 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 36 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V
Складские остатки и цены
Farnell 32,980 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.030 EUR
от 50 шт. 0.680 EUR
от 100 шт. 0.486 EUR
от 500 шт. 0.381 EUR
от 1000 шт. 0.313 EUR
от 2500 шт. 0.307 EUR
от 7500 шт. 0.303 EUR
RS HK 1,940 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 9.60 HKD
от 625 шт. 9.38 HKD
от 1250 шт. 9.24 HKD
TME 707 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.297 EUR
от 5 шт. 0.993 EUR
от 10 шт. 0.861 EUR
от 50 шт. 0.609 EUR
от 100 шт. 0.538 EUR
от 500 шт. 0.508 EUR
Future Electronics 6 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.42 USD
от 15 шт. 1.29 USD
от 75 шт. 1.21 USD
от 250 шт. 1.15 USD
от 1250 шт. 1.07 USD