FDS4935BZ
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
900mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Тип корпуса от поставщика
8-SOIC
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
6.9A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1360pF @ 15V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
40nC @ 10V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK
13,355 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 12.26 HKD |
| от 625 шт. | 11.96 HKD |
| от 1250 шт. | 11.78 HKD |
RS HK
12,500 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 3.477 HKD |
| от 12500 шт. | 3.407 HKD |
Farnell
2,518 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 1.310 EUR |
| от 50 шт. | 0.971 EUR |
| от 100 шт. | 0.797 EUR |
| от 500 шт. | 0.626 EUR |
| от 1000 шт. | 0.535 EUR |
| от 2500 шт. | 0.404 EUR |
| от 7500 шт. | 0.396 EUR |
Newark
127 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.710 USD |
| от 50 шт. | 0.881 USD |
| от 100 шт. | 0.799 USD |
| от 250 шт. | 0.728 USD |
| от 500 шт. | 0.657 USD |
| от 1000 шт. | 0.644 USD |
| от 2500 шт. | 0.561 USD |
| от 5000 шт. | 0.618 USD |
Похожие компоненты в этой категории