FDS4685
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Тип корпуса от поставщика
8-SOIC
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
8.2A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1872 pF @ 20 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
27 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
27mOhm @ 8.2A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell
19,845 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 1.090 EUR |
| от 50 шт. | 0.676 EUR |
| от 100 шт. | 0.630 EUR |
| от 500 шт. | 0.573 EUR |
| от 1000 шт. | 0.524 EUR |
| от 2500 шт. | 0.342 EUR |
| от 7500 шт. | 0.281 EUR |
Newark
9,280 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.310 USD |
| от 50 шт. | 0.887 USD |
| от 100 шт. | 0.643 USD |
| от 250 шт. | 0.606 USD |
| от 500 шт. | 0.509 USD |
| от 1000 шт. | 0.478 USD |
| от 2500 шт. | 0.361 USD |
| от 5000 шт. | 0.459 USD |
RS HK
6,345 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 8.68 HKD |
| от 625 шт. | 8.44 HKD |
| от 1250 шт. | 8.34 HKD |
TME
707 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.117 EUR |
| от 5 шт. | 0.825 EUR |
| от 10 шт. | 0.702 EUR |
| от 50 шт. | 0.632 EUR |
Похожие компоненты в этой категории