FDS4435BZ

Name: FDS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4435BZ
Availability: InStock

Производитель: onsemi

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Технические характеристики

Технология MOSFET (Metal Oxide)

Тип монтажа Surface Mount

Тип корпуса (Package/Case) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V

Тип корпуса от поставщика 8-SOIC

Тип полевого транзистора (FET) P-Channel

Рассеиваемая мощность (Макс.) 2.5W (Ta)

Постоянный ток стока (Id) при 25°C 8.8A (Ta)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 1845 pF @ 15 V

Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±25V

Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 40 nC @ 10 V

Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V

Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA

Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V

Складские остатки и цены

Future Electronics 17,500 шт.

Avnet 10,000 шт.

RS HK 8,635 шт.

Кол-во	Цена за шт.
от 625 шт.	8.82 HKD
от 1250 шт.	8.72 HKD

RS HK 7,500 шт.

Кол-во	Цена за шт.
от 2500 шт.	2.297 HKD
от 5000 шт.	2.252 HKD

Newark 1,189 шт.

RS HK 60 шт.

Похожие компоненты в этой категории