Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDN537N

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.5W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 465 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 8.4 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 645,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.09102 USD
от 6000 шт. 0.08856 USD
от 12000 шт. 0.0861 USD
от 24000 шт. 0.08364 USD
от 48000 шт. 0.08118 USD
Farnell 7,555 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.010 EUR
от 50 шт. 0.464 EUR
от 100 шт. 0.411 EUR
от 500 шт. 0.317 EUR
от 1500 шт. 0.311 EUR
от 3000 шт. 0.221 EUR
от 9000 шт. 0.204 EUR
RS HK 2,050 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 25 шт. 5.232 HKD
от 750 шт. 5.104 HKD
от 1500 шт. 5.02 HKD