Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDN359AN

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2.7A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 480 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 7 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK 36,270 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 3.58 HKD
от 1500 шт. 3.51 HKD
RS HK 36,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 1.36 HKD
от 6000 шт. 1.319 HKD
Future Electronics 15,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.255 USD
от 9000 шт. 0.25 USD
от 15000 шт. 0.245 USD
TME 6,339 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.756 EUR
от 10 шт. 0.487 EUR
от 50 шт. 0.348 EUR
от 100 шт. 0.302 EUR
от 250 шт. 0.252 EUR
от 500 шт. 0.219 EUR
от 1000 шт. 0.194 EUR
от 3000 шт. 0.185 EUR
element14 1,220 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 4.430 HKD
от 50 шт. 3.650 HKD
от 100 шт. 2.860 HKD
от 500 шт. 1.960 HKD
от 1500 шт. 1.910 HKD
от 3000 шт. 2.070 HKD
от 9000 шт. 2.030 HKD
RS HK 310 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 3.66 HKD
от 750 шт. 3.58 HKD
от 1500 шт. 3.51 HKD