FDN358P
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1.5A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
182 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
5.6 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
125mOhm @ 1.5A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
102,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.13985 USD |
| от 6000 шт. | 0.13913 USD |
| от 12000 шт. | 0.13842 USD |
| от 24000 шт. | 0.13771 USD |
| от 48000 шт. | 0.13699 USD |
RS HK
3,650 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 750 шт. | 5.94 HKD |
| от 1500 шт. | 5.76 HKD |
TME
1,883 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.773 EUR |
| от 5 шт. | 0.539 EUR |
| от 10 шт. | 0.473 EUR |
| от 50 шт. | 0.35 EUR |
| от 100 шт. | 0.306 EUR |
| от 500 шт. | 0.219 EUR |
| от 1000 шт. | 0.192 EUR |
| от 1500 шт. | 0.187 EUR |
RS HK
425 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 6.02 HKD |
| от 750 шт. | 5.94 HKD |
| от 1500 шт. | 5.76 HKD |
Похожие компоненты в этой категории