Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDN357N

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 1.9A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 235 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 5.9 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 60mOhm @ 2.2A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 297,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.121 USD
от 9000 шт. 0.119 USD
от 30000 шт. 0.117 USD
от 45000 шт. 0.115 USD
Farnell 16,331 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.751 EUR
от 50 шт. 0.496 EUR
от 100 шт. 0.392 EUR
от 500 шт. 0.312 EUR
от 1500 шт. 0.272 EUR
от 3000 шт. 0.219 EUR
от 9000 шт. 0.180 EUR
element14 10,694 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 6.390 HKD
от 50 шт. 5.200 HKD
от 100 шт. 4.000 HKD
от 500 шт. 3.530 HKD
от 1500 шт. 3.460 HKD
от 3000 шт. 2.830 HKD
от 7500 шт. 3.120 HKD
от 9000 шт. 2.780 HKD
Avnet 9,000 шт.
Цены предоставляются по запросу
TME 3,046 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.792 EUR
от 5 шт. 0.518 EUR
от 10 шт. 0.466 EUR
от 50 шт. 0.362 EUR
от 100 шт. 0.323 EUR
от 500 шт. 0.239 EUR
от 1000 шт. 0.205 EUR
от 1500 шт. 0.2 EUR
RS HK 20 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 6.38 HKD
от 1500 шт. 6.28 HKD