FDN352AP
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1.3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
150 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±25V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell
59,827 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 0.680 EUR |
| от 50 шт. | 0.420 EUR |
| от 100 шт. | 0.270 EUR |
| от 500 шт. | 0.206 EUR |
| от 1500 шт. | 0.202 EUR |
| от 3000 шт. | 0.191 EUR |
| от 9000 шт. | 0.169 EUR |
Avnet
54,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.12098 USD |
| от 6000 шт. | 0.11952 USD |
| от 12000 шт. | 0.1181 USD |
| от 24000 шт. | 0.11754 USD |
| от 48000 шт. | 0.11671 USD |
RS HK
23,810 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 10 шт. | 3.67 HKD |
| от 750 шт. | 3.57 HKD |
| от 1500 шт. | 3.52 HKD |
Похожие компоненты в этой категории