Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDN339AN

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 700 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 10 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V
Складские остатки и цены
Farnell 35,968 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.807 EUR
от 50 шт. 0.504 EUR
от 100 шт. 0.361 EUR
от 500 шт. 0.317 EUR
от 1500 шт. 0.277 EUR
от 3000 шт. 0.207 EUR
от 9000 шт. 0.183 EUR
RS HK 26,245 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 6.04 HKD
от 1500 шт. 5.98 HKD
RS HK 24,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 1.377 HKD
от 6000 шт. 1.349 HKD
от 12000 шт. 1.323 HKD
Newark 12,934 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.800 USD
от 50 шт. 0.365 USD
от 100 шт. 0.321 USD
от 250 шт. 0.283 USD
от 500 шт. 0.245 USD
от 1000 шт. 0.240 USD
от 2500 шт. 0.235 USD
от 3000 шт. 0.171 USD
от 5000 шт. 0.230 USD
TME 170 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.76 EUR
от 5 шт. 0.566 EUR
от 10 шт. 0.491 EUR
от 50 шт. 0.353 EUR
от 100 шт. 0.306 EUR
от 500 шт. 0.225 EUR
от 1000 шт. 0.217 EUR
Похожие компоненты в этой категории