Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDN338P

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 1.6A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 451 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet 135,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.11488 USD
от 6000 шт. 0.11349 USD
от 12000 шт. 0.11214 USD
от 24000 шт. 0.11161 USD
от 48000 шт. 0.11082 USD
Future Electronics 120,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.20 USD
от 6000 шт. 0.199 USD
от 12000 шт. 0.197 USD
от 15000 шт. 0.196 USD
от 45000 шт. 0.192 USD
RS HK 15,680 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 3.31 HKD
от 1500 шт. 3.23 HKD
RS HK 15,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 1.235 HKD
от 6000 шт. 1.21 HKD
от 12000 шт. 1.186 HKD
TME 354 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.572 EUR
от 5 шт. 0.467 EUR
от 10 шт. 0.391 EUR
от 50 шт. 0.224 EUR
от 100 шт. 0.186 EUR
от 250 шт. 0.162 EUR
от 3000 шт. 0.152 EUR
RS HK 40 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 3.35 HKD
от 750 шт. 3.31 HKD
от 1500 шт. 3.23 HKD