Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDN335N

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 1.7A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 310 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 5 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet 633,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.12024 USD
от 6000 шт. 0.1188 USD
от 12000 шт. 0.11738 USD
от 24000 шт. 0.11682 USD
от 48000 шт. 0.116 USD
Future Electronics 54,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.20 USD
от 6000 шт. 0.197 USD
от 12000 шт. 0.195 USD
от 45000 шт. 0.19 USD
Farnell 52,170 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.702 EUR
от 50 шт. 0.415 EUR
от 100 шт. 0.356 EUR
от 500 шт. 0.261 EUR
от 1500 шт. 0.228 EUR
от 3000 шт. 0.190 EUR
от 9000 шт. 0.169 EUR
RS HK 34,730 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 3.38 HKD
от 1500 шт. 3.33 HKD
RS HK 10 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 3.47 HKD
от 750 шт. 3.38 HKD
от 1500 шт. 3.33 HKD
Похожие компоненты в этой категории