FDMS8020
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerTDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
8-PQFN (5x6)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta), 65W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
26A (Ta), 42A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
3800 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
61 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
2.5mOhm @ 26A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
40,865 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 2.00 EUR |
| от 10 шт. | 1.26 EUR |
| от 100 шт. | 0.824 EUR |
| от 500 шт. | 0.654 EUR |
| от 1000 шт. | 0.581 EUR |
| от 3000 шт. | 0.491 EUR |
Похожие компоненты в этой категории