FDMC4435BZ
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerWDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
8-MLP (3.3x3.3)
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
2045 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±25V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
46 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell
99,359 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 1.290 EUR |
| от 50 шт. | 0.955 EUR |
| от 100 шт. | 0.634 EUR |
| от 500 шт. | 0.602 EUR |
| от 1500 шт. | 0.586 EUR |
| от 3000 шт. | 0.335 EUR |
| от 9000 шт. | 0.312 EUR |
Похожие компоненты в этой категории