Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDD86252

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
Тип корпуса от поставщика TO-252AA
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 5A (Ta), 27A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 985 pF @ 75 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 16 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell 83,398 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 1.630 EUR
от 50 шт. 1.210 EUR
от 100 шт. 1.030 EUR
от 500 шт. 0.855 EUR
от 1000 шт. 0.743 EUR
от 2500 шт. 0.728 EUR
от 7500 шт. 0.713 EUR
element14 2,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 10.080 HKD
от 50 шт. 9.600 HKD
от 100 шт. 9.110 HKD
от 500 шт. 8.930 HKD
от 1000 шт. 8.740 HKD
от 2500 шт. 8.560 HKD
от 7500 шт. 8.390 HKD
TME 1,649 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 2.19 EUR
от 5 шт. 1.32 EUR
от 10 шт. 1.14 EUR
от 50 шт. 0.88 EUR
от 100 шт. 0.81 EUR
от 500 шт. 0.76 EUR