Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDC658AP

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 4A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 470 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±25V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 8.1 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 51,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.17268 USD
от 6000 шт. 0.1718 USD
от 12000 шт. 0.17091 USD
от 24000 шт. 0.17003 USD
от 48000 шт. 0.16915 USD
element14 29,885 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 5.250 HKD
от 50 шт. 4.340 HKD
от 100 шт. 3.420 HKD
от 500 шт. 2.360 HKD
от 1500 шт. 2.320 HKD
от 3000 шт. 2.510 HKD
от 7500 шт. 2.090 HKD
от 9000 шт. 2.460 HKD
Newark 5,940 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.020 USD
от 50 шт. 0.503 USD
от 100 шт. 0.453 USD
от 250 шт. 0.409 USD
от 500 шт. 0.364 USD
от 1000 шт. 0.357 USD
от 2500 шт. 0.349 USD
от 3000 шт. 0.299 USD
от 5000 шт. 0.342 USD
RS HK 420 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 6.96 HKD
от 1500 шт. 6.88 HKD
TME 272 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.897 EUR
от 5 шт. 0.668 EUR
от 10 шт. 0.572 EUR
от 50 шт. 0.4 EUR
от 100 шт. 0.35 EUR
от 500 шт. 0.271 EUR
от 1000 шт. 0.248 EUR
от 1500 шт. 0.24 EUR
от 3000 шт. 0.232 EUR
RS HK 10 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 7.04 HKD
от 750 шт. 6.96 HKD
от 1500 шт. 6.88 HKD