FDC6561AN
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
700mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Тип корпуса от поставщика
SuperSOT™-6
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
2.5A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
220pF @ 15V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
3.2nC @ 5V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
95mOhm @ 2.5A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
204,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.17421 USD |
| от 6000 шт. | 0.17272 USD |
| от 12000 шт. | 0.17027 USD |
| от 24000 шт. | 0.16781 USD |
| от 48000 шт. | 0.16535 USD |
RS HK
26,680 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 10 шт. | 4.69 HKD |
| от 750 шт. | 4.57 HKD |
| от 1500 шт. | 4.52 HKD |
Newark
2,629 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.090 USD |
| от 50 шт. | 0.543 USD |
| от 100 шт. | 0.489 USD |
| от 250 шт. | 0.442 USD |
| от 500 шт. | 0.394 USD |
| от 1000 шт. | 0.386 USD |
| от 2500 шт. | 0.378 USD |
| от 3000 шт. | 0.321 USD |
| от 5000 шт. | 0.370 USD |
Похожие компоненты в этой категории