Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDC6401N

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность 700mW
Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
Тип корпуса от поставщика SuperSOT™-6
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 3A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 324pF @ 10V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 4.6nC @ 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V
Складские остатки и цены
Future Electronics 141,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.585 USD
от 6000 шт. 0.58 USD
от 9000 шт. 0.575 USD
от 12000 шт. 0.57 USD
Avnet 12,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.2078 USD
от 6000 шт. 0.20534 USD
от 12000 шт. 0.20428 USD
от 24000 шт. 0.20323 USD
от 48000 шт. 0.20218 USD
RS HK 6,940 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 20 шт. 5.45 HKD
от 760 шт. 5.34 HKD
от 1500 шт. 5.23 HKD
RS HK 6,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 2.17 HKD
от 6000 шт. 2.127 HKD
Farnell 2,373 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.897 EUR
от 50 шт. 0.594 EUR
от 100 шт. 0.419 EUR
от 500 шт. 0.329 EUR
от 1500 шт. 0.322 EUR
от 3000 шт. 0.321 EUR
от 9000 шт. 0.264 EUR