FDC6301N
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
700mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
25V
Тип корпуса от поставщика
SuperSOT™-6
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
220mA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
9.5pF @ 10V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
0.7nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet
96,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.09565 USD |
| от 6000 шт. | 0.09516 USD |
| от 12000 шт. | 0.09467 USD |
| от 24000 шт. | 0.09418 USD |
| от 48000 шт. | 0.0937 USD |
TME
1,161 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.602 EUR |
| от 10 шт. | 0.317 EUR |
| от 50 шт. | 0.26 EUR |
| от 100 шт. | 0.235 EUR |
| от 500 шт. | 0.181 EUR |
| от 1000 шт. | 0.157 EUR |
| от 1500 шт. | 0.143 EUR |
| от 3000 шт. | 0.134 EUR |
Похожие компоненты в этой категории