Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDC602P

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 5.5A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 1456 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±12V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 20 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Складские остатки и цены
Farnell 22,110 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.929 EUR
от 50 шт. 0.579 EUR
от 100 шт. 0.378 EUR
от 500 шт. 0.310 EUR
от 1500 шт. 0.309 EUR
от 3000 шт. 0.301 EUR
от 9000 шт. 0.248 EUR
RS HK 15,290 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 5.20 HKD
от 750 шт. 5.07 HKD
от 1500 шт. 4.99 HKD
RS HK 15,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 2.038 HKD
от 6000 шт. 1.997 HKD
от 12000 шт. 1.957 HKD