FDC5614P
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
759 pF @ 30 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
24 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
105mOhm @ 3A, 10V
Складские остатки и цены
Newark
76,251 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.190 USD |
| от 50 шт. | 0.592 USD |
| от 100 шт. | 0.523 USD |
| от 250 шт. | 0.501 USD |
| от 500 шт. | 0.409 USD |
| от 1000 шт. | 0.370 USD |
| от 2500 шт. | 0.352 USD |
| от 3000 шт. | 0.356 USD |
| от 5000 шт. | 0.334 USD |
RS HK
19,255 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 7.58 HKD |
| от 750 шт. | 7.40 HKD |
| от 1500 шт. | 7.26 HKD |
RS HK
18,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 2.035 HKD |
| от 15000 шт. | 1.994 HKD |
TME
998 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.262 EUR |
| от 5 шт. | 0.389 EUR |
| от 10 шт. | 0.372 EUR |
| от 100 шт. | 0.318 EUR |
| от 500 шт. | 0.263 EUR |
| от 3000 шт. | 0.247 EUR |
Похожие компоненты в этой категории