Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDC5612

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 4.3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 650 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 18 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK 33,910 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 8.28 HKD
от 750 шт. 8.00 HKD
от 1500 шт. 7.94 HKD
Farnell 20,472 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.900 EUR
от 50 шт. 0.596 EUR
от 100 шт. 0.410 EUR
от 500 шт. 0.322 EUR
от 1500 шт. 0.283 EUR
от 3000 шт. 0.277 EUR
от 9000 шт. 0.256 EUR
Avnet 6,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.20171 USD
от 6000 шт. 0.19928 USD
от 12000 шт. 0.1969 USD
от 24000 шт. 0.19597 USD
от 48000 шт. 0.19459 USD
TME 2,785 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.036 EUR
от 5 шт. 0.706 EUR
от 10 шт. 0.575 EUR
от 50 шт. 0.384 EUR
от 100 шт. 0.342 EUR
от 500 шт. 0.293 EUR
от 3000 шт. 0.275 EUR
Похожие компоненты в этой категории