FDC3601N
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
700mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Тип корпуса от поставщика
SuperSOT™-6
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
1A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
153pF @ 50V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
5nC @ 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
500mOhm @ 1A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell
52,014 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.886 EUR |
| от 10 шт. | 0.556 EUR |
| от 100 шт. | 0.362 EUR |
| от 500 шт. | 0.257 EUR |
| от 1000 шт. | 0.232 EUR |
| от 5000 шт. | 0.227 EUR |
TME
2,579 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.977 EUR |
| от 10 шт. | 0.55 EUR |
| от 50 шт. | 0.445 EUR |
| от 100 шт. | 0.403 EUR |
| от 250 шт. | 0.346 EUR |
| от 500 шт. | 0.302 EUR |
| от 1000 шт. | 0.27 EUR |
| от 3000 шт. | 0.261 EUR |
RS HK
2,075 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 750 шт. | 4.744 HKD |
| от 1500 шт. | 4.672 HKD |
Похожие компоненты в этой категории