FDB050AN06A0
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
D²PAK (TO-263)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
245W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
3900 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
80 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics
208,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 800 шт. | 2.92 USD |
| от 1600 шт. | 2.90 USD |
| от 2400 шт. | 2.87 USD |
RS HK
498 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2 шт. | 27.90 HKD |
| от 200 шт. | 27.25 HKD |
| от 400 шт. | 26.75 HKD |
Farnell
162 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.180 EUR |
| от 10 шт. | 2.080 EUR |
| от 100 шт. | 1.450 EUR |
| от 500 шт. | 1.150 EUR |
| от 1000 шт. | 1.100 EUR |
Похожие компоненты в этой категории