Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BCW66GLT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft) 100MHz
Максимальная мощность 300 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 800 mA
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 20nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 45 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Складские остатки и цены
Future Electronics 729,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0228 USD
от 9000 шт. 0.0222 USD
от 30000 шт. 0.0217 USD
от 60000 шт. 0.0214 USD
от 120000 шт. 0.0208 USD