Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BC849CLT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft) 100MHz
Максимальная мощность 300 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 15nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 30 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Складские остатки и цены
RS HK 53,700 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 100 шт. 0.35 HKD
от 800 шт. 0.341 HKD
от 1500 шт. 0.337 HKD
RS HK 51,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.169 HKD
от 6000 шт. 0.164 HKD
от 12000 шт. 0.159 HKD
Future Electronics 27,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0151 USD
от 12000 шт. 0.0147 USD
от 45000 шт. 0.0143 USD
от 75000 шт. 0.0141 USD
от 150000 шт. 0.0137 USD