Запрос
Вернуться в каталог и поиск

2V7002LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 225mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 115mA (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 50 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 114,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0393 USD
от 6000 шт. 0.0386 USD
от 12000 шт. 0.038 USD
от 15000 шт. 0.0378 USD
от 45000 шт. 0.0365 USD
Avnet 24,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0392 USD
от 6000 шт. 0.039 USD
от 12000 шт. 0.0388 USD
от 24000 шт. 0.0386 USD
от 48000 шт. 0.0384 USD
Farnell 3,889 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.278 EUR
от 50 шт. 0.123 EUR
от 100 шт. 0.108 EUR
от 500 шт. 0.0791 EUR
от 1500 шт. 0.0765 EUR
от 3000 шт. 0.0482 EUR
от 9000 шт. 0.0472 EUR